中芯集成电路申请MEMS器件及其封装方法专利，解决水汽渗透问题_电子百科

中芯集成电路申请MEMS器件及其封装方法专利，解决水汽渗透问题

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2026-01-26 10:12:15

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国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司申请一项名为“一种MEMS器件及其封装方法”的专利，公开号CN121376905A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种MEMS器件及其封装方法，封装方法包括：提供MEMS器件；MEMS器件包括相互堆叠的第一晶片、第二晶片和第三晶片，第二晶片设有微机械结构，且微机械结构位于第一晶片和第三晶片之间的空腔内；第一晶片与第二晶片之间连接有键合结构；键合结构包括键合环结构和键合锚点结构，键合锚点结构位于键合环结构内；在键合环结构的外表面制作保护结构。本申请解决的技术问题是水汽倾向于优先沿着不同材料间的界面进行渗透和扩散。尤其是较为薄弱和关键的引线键合界面，其为形成微机械结构所在空腔的关键部位，一旦出现水汽渗入，则将严重损害产品的性能和使用寿命。

天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息501条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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