龙威半导体申请沟槽型功率器件集成栅极电阻专利，工艺兼容性好
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2026-01-26 14:39:10
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国家知识产权局信息显示，西安龙威半导体有限公司申请一项名为“一种沟槽型功率器件集成栅极电阻的结构及制造方法”的专利，公开号CN121398040A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽型功率器件集成栅极电阻的结构及制造方法，属于半导体器件加工技术领域，有源区结构制备过程包括：在晶圆上沉积硬掩模；进行沟槽光刻使得沟槽光刻图案中，集成电阻区沟槽宽度的线宽小于有源区沟槽宽度的线宽；去除沟槽光刻图案区域的硬掩模和其余区域光刻胶；对沟槽光刻图案区域刻蚀；在沟槽内形成牺牲氧化层再去除硬掩模和牺牲氧化层；形成栅氧后沉积多晶硅；进行多晶硅回刻；进行P阱及N‑Source离子注入和推阱；沉积介质层后进行接触孔光刻和刻蚀；沉积金属层并进行金属电极光刻刻蚀以完成正面加工；进行钝化层及背面加工处理。本发明集成栅电阻可通过调整集成电阻区沟槽宽度实现，不需多晶层光刻，工艺兼容性好。
天眼查资料显示，西安龙威半导体有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本66068.167985万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙威半导体有限公司参与招投标项目22次，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可24个。
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