长飞先进取得具有埋层结构的碳化硅MPS二极管专利
创始人
2026-01-27 10:13:10
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国家知识产权局信息显示,安徽长飞先进半导体股份有限公司取得一项名为“具有埋层结构的碳化硅MPS二极管及其制备方法”的专利,授权公告号CN114267718B,申请日期为2021年12月。

天眼查资料显示,安徽长飞先进半导体股份有限公司,成立于2018年,位于芜湖市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31162.1464万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目32次,财产线索方面有商标信息77条,专利信息223条,此外企业还拥有行政许可13个。

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来源:市场资讯

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