中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，简化了工艺流程
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2026-01-29 00:40:08
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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121419318A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；贯穿所述衬底的互连导电结构；位于所述衬底第一表面的第一器件结构，以及，位于所述衬底第二表面的第二器件结构，其中，所述第一器件结构和所述第二器件结构具有不同的导电类型，且所述第一器件结构和所述第二器件结构基于所述互连导电结构电连接。本公开实施例提供的半导体结构及其形成方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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来源：市场资讯
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