鹏芯微申请形成半导体结构的方法专利，使得第一沟槽和第二沟槽在第一方向上的间距缩小
创始人
2026-01-31 22:43:00
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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“形成半导体结构的方法”的专利，公开号CN121442974A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开提出了一种形成半导体结构的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供层结构，所述层结构包括第一层，所述第一层具有沿第一方向排列的利用光刻工艺形成的多个沟槽，所述多个沟槽包括相邻的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第一方向上的间距大于所述光刻工艺的极限尺寸；以及对所述第一层执行各向异性刻蚀，以使得所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第一方向上的间距缩小。
天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息107条，此外企业还拥有行政许可215个。
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来源：市场资讯
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