中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高半导体结构的工作性能
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2026-02-09 12:15:13
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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121487311A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；沟道层结构，悬置于衬底上方，在纵向上，沟道层结构包括一个或多个间隔的沟道层；栅极结构，位于衬底上且横跨沟道层结构，栅极结构沿栅极结构延伸方向环绕沟道层；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的衬底上，在沟道层结构的延伸方向上，源漏掺杂层与沟道层结构的端部相接触；源漏插塞，位于源漏掺杂层底部的衬底中，源漏插塞在纵向上贯穿源漏掺杂层底部的衬底并与源漏掺杂层电连接。本发明有利于实现更佳的供电效果，从而有利于提高半导体结构的工作性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。
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来源：市场资讯
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