金融界2025年5月27日消息,国家知识产权局信息显示,成都功成半导体有限公司取得一项名为“一种凹陷式Fin-MOSFET栅结构HEMT及制作方法”的专利,授权公告号CN115312600B,申请日期为2022年07月。
天眼查资料显示,成都功成半导体有限公司,成立于2018年,位于成都市,是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析,成都功成半导体有限公司专利信息36条,此外企业还拥有行政许可1个。
来源:金融界
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