厦门半导体申请阻变存储器及制备方法专利，减小氧原子迁移的不可控性
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2026-03-14 23:20:08
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国家知识产权局信息显示，厦门半导体工业技术研发有限公司申请一项名为“一种阻变存储器及制备方法”的专利，公开号CN121665907A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种阻变存储器及制备方法，制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成底电极、阻变部和储氧部，其中，所述阻变部位于所述底电极上，所述储氧部位于所述阻变部上，或者所述储氧部位于所述阻变部的侧面并与所述阻变部电接触；在所述储氧部的侧面形成顶电极，所述顶电极与所述储氧部电接触。本申请制备的阻变存储器呈”L”形，氧原子移动路径更远，叠加弯曲的电场，使得氧原子难以进入顶电极，可以减小氧原子迁移的不可控性。并且可以节省高度空间用于形成第二过孔，第二互连金属层通过第二过孔与顶电极连接，可以避免第二互连金属层厚度不均时影响电性能的问题，同样面积的衬底，本申请的阻变存储器的密度更大。
天眼查资料显示，厦门半导体工业技术研发有限公司，成立于2019年，位于厦门市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本40996万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门半导体工业技术研发有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息125条，此外企业还拥有行政许可8个。
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来源：市场资讯
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