中微半导体申请半导体处理设备基片支撑座温度控制方法和系统专利，实现对晶圆刻蚀过程的精准控制_电子技术

中微半导体申请半导体处理设备基片支撑座温度控制方法和系统专利，实现对晶圆刻蚀过程的精准控制

创始人

2026-04-03 19:29:10

0次

国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种半导体处理设备中的基片支撑座温度控制方法和系统”的专利，公开号CN121793678A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种半导体处理设备中的基片支撑座温度控制方法和系统，电阻测量模块在线测量加热电阻的当前阻值，阻值核验模块根据加热电阻的当前阻值和初始阻值计算加热电阻的阻值变化率，变化率小于或等于阈值时，将当前阻值作为加热电阻的更新阻值保存至阻值更新模块，温度控制模块将加热电阻的更新阻值输入温度控制模型，根据更新阻值计算供应给加热电阻的电压或电流。本发明无需设备停机就可对加热装置中加热电阻的电阻值实现在线测量，节约了成本和时间，根据变化的阻值来实时调节供应至加热电阻的电压或电流，确保所有加热电阻达到预期的加热效果，以实现对基片支撑座进行更精准的温度控制，从而达到对晶圆刻蚀过程的精准控制，提高刻蚀的成功率。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目78次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息1656条，此外企业还拥有行政许可77个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法投资阻值基片电阻设备处理导体专利温度控制温度模块

上一篇：励驰半导体取得多系统交互控制专利

下一篇：恩智浦取得具有环绕式电极的半导体装置专利

中微半导体申请半导体处理设备基片支撑座温度控制方法和系统专利，实现对晶圆刻蚀过程的精准控制

相关内容

热门资讯