功成半导体申请屏蔽栅沟槽MOSFET器件专利，显著提升器件安全工作区和散热能力_电子技术

功成半导体申请屏蔽栅沟槽MOSFET器件专利，显著提升器件安全工作区和散热能力

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2026-04-07 15:00:02

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国家知识产权局信息显示，上海功成半导体科技有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121815692A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，通过在元胞区的层间介质层中制作形状不同的第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔的形状为长条连续型，导致其所在元胞的沟道区域离子浓度较高，因而阈值电压较高；第二接触孔的形状的具有第一间隔距离的方形，导致其所在元胞的沟道离子浓度低，因而阈值电压较低，使得MOS器件工作时，低阈值电压元胞的沟道先开启导电，高阈值电压元胞的沟道后开启，上述分时开启机制使得后开启的元胞能作为散热通道，为先开启的元胞分散热量，从而显著提升了器件的安全工作区（SOA）和散热能力，且该制备方法仅需调整接触孔掩膜版图设计，无需增加额外工艺步骤，以极低的成本实现了MOS器件的可靠性和应用范围的提高。

天眼查资料显示，上海功成半导体科技有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1414.9831万人民币。通过天眼查大数据分析，上海功成半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息142条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资沟槽上海器件散热显著提升工作区导体专利元胞栅沟槽电压沟道

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