京东方华灿光电申请电极结构及发光二极管芯片专利，提升发光二极管芯片的制备良率
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2026-04-23 00:39:54
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“电极结构、发光二极管芯片及电极结构的制备方法”的专利，公开号CN121865769A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本公开提供了一种电极结构、发光二极管芯片及电极结构的制备方法，属于半导体技术领域。电极结构，包括依次叠设的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层、第五子层、第六子层、第七子层、第八子层、第九子层；第一子层为Cr层，第二子层为Al层，第三子层为Ti层，第四子层、第六子层和第八子层为Pt层，第五子层和第七子层为Ni层，第九子层为Au层。本公开可以提升发光二极管芯片的制备良率。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目41次，专利信息1036条，此外企业还拥有行政许可42个。
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来源：市场资讯
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