力晶积成取得具有温度依存性的半导体存储器专利
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2026-05-06 11:26:22
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司取得一项名为“具有温度依存性的半导体存储器”的专利，授权公告号CN115295038B，申请日期为2021年7月。
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