爱思开海力士申请存储器装置和该存储器装置的制造方法专利，沟道层被包括在第一电流路径中
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2026-05-22 18:48:14
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置和该存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN122073811A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本申请涉及存储器装置和该存储器装置的制造方法。根据本公开的实施方式的存储器装置包括：层叠结构，其包括导电层和层间绝缘层；沟道层，其穿透层叠结构；沟道背栅层，其由沟道层围绕；以及衬垫层，其将沟道层和沟道背栅层彼此绝缘，其中，沟道层被包括在第一电流路径中，并且沟道背栅层被包括在第二电流路径中。
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来源：市场资讯
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