硅存储技术取得带改善控制栅电容耦合的分裂栅存储器单元及其制造方法专利
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2025-05-28 12:02:14
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司取得一项名为“带改善控制栅电容耦合的分裂栅存储器单元及其制造方法”的专利，授权公告号CN115083912B，申请日期为2021年03月。

来源：金融界

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