上海积塔半导体申请半导体结构制作方法及结构专利，节约光刻曝光次数
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2025-05-28 12:33:55
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法及半导体结构”的专利，公开号CN120050992A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及集成电路领域。本公开的半导体结构的制作方法，在第一区和第二区上形成第一硬掩膜图形之后，采用牺牲层覆盖第一区的第一硬掩膜图形的侧壁，牺牲层用以保护第一区的第一硬掩膜图形，再刻蚀第二区的第一硬掩膜图形形成线宽更小的第二硬掩膜图形，第一区的第一硬掩膜图形不受刻蚀影响，无需多次曝光转移形成更小线宽的图案，能够节约光刻曝光次数，增大曝光转移的工艺窗口，降低了制作难度，能够提升半导体结构的良品率和可靠性。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1821次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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