中芯东方申请半导体结构形成方法专利，提高外延层厚度均匀性
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2026-06-27 14:37:35
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国家知识产权局信息显示，中芯东方集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN122279738A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；形成覆盖所述衬底的外延层，在沿所述外延层的厚度的方向上，所述外延层包括多层子外延层；形成所述外延层的步骤包括多次用于形成所述子外延层的生长步骤、以及在相邻两次生长步骤之间进行的子外延层的平整化处理。本发明实施例中，由于对所述子外延层进行平整化处理，有利于改善所述子外延层表面的平整度，相应提高了所述子外延层的厚度的均匀性，且为下一层子外延层的形成提供良好的界面，从而提高外延层的厚度的均匀性。
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来源：市场资讯
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