上海积塔半导体申请半导体膜沉积控制方法及系统专利，提高产品一致性和良率
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2025-05-28 19:34:05
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体膜沉积控制方法及系统”的专利，公开号CN120041810A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了半导体膜沉积控制方法及系统，控制方法包括：使用干法清洗工艺去除工艺腔室内的附着膜，补偿沉积半导体膜补偿层，用来补偿干法清洗之后的腔室温度变化引起的下一步常规沉积阶段的半导体膜膜厚变化，在补偿沉积半导体膜补偿层之后，进入常规沉积阶段，基于目标膜厚在半导体膜补偿层上沉积半导体膜。过在常规沉积阶段之前采用动态补偿沉积机制，对干法清洗之后腔室温度上升导致的半导体膜膜厚变化进行事先补偿，补偿后续半导体膜的成膜时间，确保温度上升的过渡期间的膜厚稳定性。该膜厚补偿机制根据温度与膜厚的负相关关系，动态补偿膜厚变化，从而实现膜厚控制，提高产品一致性和良率。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1822次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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