金融界2025年3月29日消息,国家知识产权局信息显示,威世半导体有限公司申请一项名为“形成光敏半导体组件的方法和光敏半导体组件”的专利,公开号 CN 119698112 A,申请日期为2019年3月。
专利摘要显示,本发明涉及一种形成光敏半导体组件的方法和光敏半导体组件,其中光敏半导体组件具有:作为集电极层的第一导电类型的半导体衬底(10);位于衬底上方的第一导电类型的低掺杂层(11),该层具有不同厚度的区域;位于低掺杂层(11)的至少部分区域上方的第二导电类型的半导体基极层(12);以及位于基极层(12)的至少部分上方的第一导电类型的射极层(13),但射极层不在基极层(12)的特定部分的至少部分上方,所称特定部分位于低掺杂层(11)的较薄区域上方。
来源:金融界