威世半导体申请形成光敏半导体组件的方法和组件专利，形成独特结构的光敏半导体组件
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2025-05-15 10:52:20
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金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，威世半导体有限公司申请一项名为“形成光敏半导体组件的方法和光敏半导体组件”的专利，公开号 CN 119698112 A，申请日期为2019年3月。
专利摘要显示，本发明涉及一种形成光敏半导体组件的方法和光敏半导体组件，其中光敏半导体组件具有：作为集电极层的第一导电类型的半导体衬底（10）；位于衬底上方的第一导电类型的低掺杂层（11），该层具有不同厚度的区域；位于低掺杂层（11）的至少部分区域上方的第二导电类型的半导体基极层（12）；以及位于基极层（12）的至少部分上方的第一导电类型的射极层（13），但射极层不在基极层（12）的特定部分的至少部分上方，所称特定部分位于低掺杂层（11）的较薄区域上方。
来源：金融界
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