华虹半导体申请改善切边缺陷方法专利，有效去除器件晶圆表面Si屑残留
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2025-05-31 10:07:32
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“改善切边缺陷的方法”的专利，公开号CN120076443A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善切边缺陷的方法，提供器件晶圆，将器件晶圆的正面形成有器件结构，在器件晶圆正面形成有正电性的第一介质层；在第一介质层上形成在湿法清洗中呈负电性的第二介质层；对器件晶圆的边缘进行切边处理，以避免后续减薄过程中边缘出现尖锐形貌；利用湿法清洗去除器件晶圆上的硅屑。本发明可以有效去除器件晶圆表面Si屑残留，改善后续的键合缺陷。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2915次，专利信息1661条，此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目370次，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可226个。
来源：金融界
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