粤芯半导体申请一种CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻专利，提高CrSi薄膜电阻的良率和成功率
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2025-05-31 10:33:21
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻”的专利，公开号CN120076346A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请公开了一种CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻，涉及半导体制造技术领域。该CrSi薄膜电阻制备方法包括：提供一衬底，在衬底上沉积第一介质层；在第一介质层上沉积金属化合物层，将金属化合物层刻蚀为多个连接焊盘；在第一介质层和连接焊盘上沉积CrSi薄膜层，去除CrSi薄膜层的两端以露出下方的第一介质层，剩余的CrSi薄膜层覆盖多个连接焊盘；在CrSi薄膜层和第一介质层上方沉积第二介质层，在第二介质层上刻蚀连接孔和沟槽，连接孔连通连接焊盘；在连接孔和沟槽中填入金属材料形成金属导线。
天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目115次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息998条，此外企业还拥有行政许可129个。
来源：金融界
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