和舰芯片申请去除晶圆氧化膜表面电荷预清洗方法专利，解决晶圆测试中 BIN8 参数走低问题
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2025-05-31 20:05:33
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金融界 2025 年 5 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种去除晶圆氧化膜表面电荷的预清洗方法”的专利，公开号 CN120072626A，申请日期为 2023 年 11 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种去除晶圆氧化膜表面电荷的预清洗方法，其包括：光照条件下，在清洗槽内用去离子水清洗晶圆后，再进行机台预清洗处理。本发明在 RCAA 机台预清洗之前增加一次酸槽开灯状态下的去离子水清洗，这一步骤的增加会显著影响表面电荷的去除效果，也能够解决晶圆测试中 BIN8 参数走低的问题，使得参数恢复正常，不会大幅度增加成本且能够提升产品的成品率，提高了经济效益。
天眼查资料显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司，成立于2001年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本314524.57万人民币。通过天眼查大数据分析，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息403条，此外企业还拥有行政许可26个。
来源：金融界
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