英诺赛科取得一种芯片液冷结构专利，可提高芯片的散热能力
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2025-06-01 01:33:25
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司取得一项名为“一种芯片液冷结构”的专利，授权公告号CN222927479U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种芯片液冷结构。该芯片液冷结构包括：芯片和引线框架；其中，芯片设置有沿厚度方向贯穿芯片的硅通孔；引线框架包括液体冷却框架；液体冷却框架包括第一液冷部和第二液冷部，第一液冷部设置于芯片的第一表面，第二液冷部设置于芯片的第二表面；第一液冷部设置有第一半刻蚀槽，第二液冷部设置有第二半刻蚀槽；第一半刻蚀槽在第一表面上的正投影覆盖第一表面的至少部分，第二半刻蚀槽在第二表面上的正投影覆盖第二表面的至少部分；第一半刻蚀槽与硅通孔连通，且第二半刻蚀槽与硅通孔连通，以形成覆盖芯片的第一表面和第二表面的循环液体通道。
天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息237条，此外企业还拥有行政许可51个。
来源：金融界
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