金融界2025年6月2日消息,国家知识产权局信息显示,安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种半导体绿光激光元件”的专利,公开号CN120073467A,申请日期为2025年03月。
专利摘要显示,本发明公开了一种半导体绿光激光元件,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层,所述上波导层与上限制层之间具有拓扑声子跃迁层,所述拓扑声子跃迁层包括第一拓扑声子跃迁层、第二拓扑声子跃迁层和第三拓扑声子跃迁层。本发明实现对声子输运的协同调控,降低激光元件的声子散射,增强晶格热导率,改善激光元件的热电性能,提升激光元件的散热性能,减少有源层的热量积蓄,降低有源层的温度,并降低空穴注入势垒和提升空穴注入效率,提升有源层的电子空穴波函数的交叠几率,从而加强激光元件可在大功率,改善大电流条件下的老化光衰减、老化寿命和可靠性,提升激光元件的激射功率和斜率效率。
来源:金融界