格恩半导体申请半导体绿光激光元件专利，加强激光元件可在大功率
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2025-06-02 19:34:48
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种半导体绿光激光元件”的专利，公开号CN120073467A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体绿光激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间具有拓扑声子跃迁层，所述拓扑声子跃迁层包括第一拓扑声子跃迁层、第二拓扑声子跃迁层和第三拓扑声子跃迁层。本发明实现对声子输运的协同调控，降低激光元件的声子散射，增强晶格热导率，改善激光元件的热电性能，提升激光元件的散热性能，减少有源层的热量积蓄，降低有源层的温度，并降低空穴注入势垒和提升空穴注入效率，提升有源层的电子空穴波函数的交叠几率，从而加强激光元件可在大功率，改善大电流条件下的老化光衰减、老化寿命和可靠性，提升激光元件的激射功率和斜率效率。
来源：金融界
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