英飞凌申请具有金属结构钝化的半导体装置专利，本公开涉及具有金属结构钝化的半导体装置
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2025-06-02 20:34:30
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有金属结构钝化的半导体装置”的专利，公开号CN120072756A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开涉及具有金属结构钝化的半导体装置。半导体装置包括半导体衬底。金属结构被安放在半导体衬底之上，其中金属结构的金属是Cu或基于Cu的合金。钝化层被安放在金属结构之上，其中钝化层包括：第一层，包括CuSiN；和第二层，包括Si、N和H，其中，在原子数量方面，Si与N之比等于或大于3.3/4。
来源：金融界
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