华创热控申请IGBT芯片散热封装模块及封装方法专利,显著提升了IGBT芯片的散热效果
创始人
2025-06-03 15:06:13
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金融界2025年6月3日消息,国家知识产权局信息显示,广东省华创热控科技有限公司申请一项名为“一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法”的专利,公开号CN120072652A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本发明公开了一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法,包括对IGBT芯片的背面进行清洁和预处理,在背面上刻蚀出微通道网络,利用化学气相沉积法,在内壁沉积石墨烯薄膜,形成热传导通道;制作微流体分配器,通过对位和键合技术,将微流体分配器与芯片背面连接,形成完整的冷却液循环通道;在所述IGBT芯片的正面,使用导电粘合材料固定在电路基板上,并与电路基板上的电路互连;使用封装材料对IGBT芯片和微流体分配器进行封装,获得IGBT集成模块;对IGBT芯片的结构特点,创新地集成了微流体散热系统和高效热传导通道,显著提升了IGBT芯片的散热效果和工作稳定性,延长了芯片的使用寿命。

来源:金融界

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