韦尔半导体申请中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET专利，优化IDSS
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2025-06-03 17:04:17
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET”的专利，公开号CN120091616A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请实施例提供的一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET，通过改变所述终端区离所述元胞区最近的所述第一沟槽区与所述元胞区的第二沟槽区之间，可以优化电荷平衡，避免尖端放电，从而优化IDSS，提高击穿电压。
来源：金融界
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