北方集成等申请三维存储器及制备方法等专利 显著提高存储密度
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2025-06-04 10:06:28
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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司;清华大学申请一项名为“三维存储器及制备方法、存储系统、电子设备”的专利，公开号CN120091567A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本申请公开了一种三维存储器及制备方法、存储系统和电子设备，涉及半导体技术领域，三维存储器包括：衬底；多个第一介质层和多个导电层，层叠设置于衬底上，第一介质层与导电层交替设置；导电层包括源线和位线；多个栅极结构；沿垂直于衬底的方向，多个栅极结构贯穿多个第一介质层和多个导电层，且栅极结构位于源线与位线之间；多个沟道结构，一个沟道结构围绕在一个栅极结构的外侧，沟道结构的侧面与源线和位线连接。实现了存储单元的三维集成，显著提高了存储密度，使得在相同的物理空间内可以存储更多的数据。上述三维存储器可以用于数据的读取和写入。
来源：金融界
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