歌尔微电子申请MEMS力传感器及其制备方法、封装结构专利，对于封装应力的敏感性较低
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2025-06-04 10:06:36
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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，歌尔微电子股份有限公司申请一项名为“MEMS力传感器及其制备方法、封装结构”的专利，公开号CN120084461A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请公开了一种MEMS力传感器及其制备方法、封装结构。其中，MEMS力传感器包括：衬底、连接层、压电结构、钝化层和金属层；连接层设置于衬底上；压电结构设于连接层上，压电结构包括依次叠设的底电极、压电层和顶电极，压电层采用压电材料制成；钝化层覆盖压电结构和露出于压电结构的连接层；金属层设于钝化层上，并与压电结构连接。
天眼查资料显示，歌尔微电子股份有限公司，成立于2017年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本61243.8891万人民币。通过天眼查大数据分析，歌尔微电子股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目126次，专利信息1690条，此外企业还拥有行政许可23个。
来源：金融界
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