歌尔微电子申请MEMS力传感器及其制备方法、封装结构专利,对于封装应力的敏感性较低
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2025-06-04 10:06:36
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金融界2025年6月4日消息,国家知识产权局信息显示,歌尔微电子股份有限公司申请一项名为“MEMS力传感器及其制备方法、封装结构”的专利,公开号CN120084461A,申请日期为2025年02月。

专利摘要显示,本申请公开了一种MEMS力传感器及其制备方法、封装结构。其中,MEMS力传感器包括:衬底、连接层、压电结构、钝化层和金属层;连接层设置于衬底上;压电结构设于连接层上,压电结构包括依次叠设的底电极、压电层和顶电极,压电层采用压电材料制成;钝化层覆盖压电结构和露出于压电结构的连接层;金属层设于钝化层上,并与压电结构连接。

天眼查资料显示,歌尔微电子股份有限公司,成立于2017年,位于青岛市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本61243.8891万人民币。通过天眼查大数据分析,歌尔微电子股份有限公司共对外投资了12家企业,参与招投标项目126次,专利信息1690条,此外企业还拥有行政许可23个。

来源:金融界

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