应用材料公司申请用于被掺杂半导体磊晶层的含碳帽层专利,一种半导体结构包括在基板上形成交替叠层
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2025-06-04 21:06:30
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金融界2025年6月4日消息,国家知识产权局信息显示,应用材料公司申请一项名为“用于被掺杂半导体磊晶层的含碳帽层”的专利,公开号CN120092500A,申请日期为2023年07月。

专利摘要显示,一种半导体结构包括在基板上形成的交替的被掺杂半导体磊晶层及帽磊晶层的叠层。每个被掺杂半导体磊晶层包括具有载流子掺杂剂的硅,且每个帽磊晶层包括未掺杂载流子掺杂剂的硅及碳。

来源:金融界

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