珠海多创科技申请一种磁性元件、磁性装置及其制备方法专利，使得磁性元件具有较低的最小开关电流
创始人
2025-06-05 02:34:04
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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，珠海多创科技有限公司申请一项名为“一种磁性元件、磁性装置及其制备方法”的专利，公开号CN120091754A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明属于磁存储器技术领域，公开一种磁性元件、磁性装置及其制备方法，该磁性元件包括底电极层、磁隧道结、锂源层以及电极组件；底电极层用于提供自旋轨道矩；磁隧道结包括自由层，用于在自旋轨道矩作用下翻转自由层的磁矩；锂源层靠近底电极层，用于为底电极层提供锂离子；电极组件用于提供流经底电极层的第一电流，以及流经锂源层与底电极层的第二电流。本发明磁性元件在底电极层的周围增设了一可为底电极层传递锂离子的锂源层，使得磁性元件具有较低的最小开关电流以及较低的功耗。另外，本发明结构简单，易于工业化实现。
天眼查资料显示，珠海多创科技有限公司，成立于2018年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3342.1251万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海多创科技有限公司参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息136条，此外企业还拥有行政许可22个。
来源：金融界
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