无锡旷通半导体申请高浪涌MOS结构及其制备方法专利，有效增强MOS器件的抗浪涌能力
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2025-06-05 09:07:28
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金融界2025年6月5日消息，国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司申请一项名为“高浪涌MOS结构及其制备方法”的专利，公开号 CN120091594A，申请日期为 2025 年 03 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种高浪涌MOS结构及其制备方法，其包括栅极结构，至少设置有两个，栅极横条，设置在相邻的两个栅极结构之间且至少设置有两个，第二导电类型体区设置在相邻两个栅极结构之间，且所述栅极横条两侧的所述第二导电类型体区相连，第一导电类型第一源区设置在第二导电类型体区内，和所述栅极结构接触，且沿着所述栅极结构长度方向延伸设置，第一导电类型第二源区设置在所述第二导电类型体区，和所述栅极横向接触并沿着所述栅极横条的长度方向延伸设置，所述第一导电类型第一源区和所述第一导电类型第二源区相连。
天眼查资料显示，无锡旷通半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡旷通半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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