一本芯半导体取得碳化硅半导体器件专利，在增加耐压的情况下降低导通电阻
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2025-06-06 14:05:40
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，上海一本芯半导体科技有限公司取得一项名为“碳化硅半导体器件”的专利，授权公告号 CN222954307U，申请日期为 2024年06月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种碳化硅半导体器件，包括：N型重掺杂碳化硅衬底和位于N型重掺杂碳化硅衬底上的N型轻掺杂外延层，所述N型轻掺杂外延层上包括至少2个器件单胞，所述N型重掺杂碳化硅衬底与N型轻掺杂外延层相背的表面具有一下金属电极层；相邻所述器件单胞之间的P型阱区内具有一第二沟槽，此第二沟槽内填充有一N型重掺杂部，位于N型重掺杂部两侧分别具有第一N型注入部和第二N型注入部，此第一N型注入部和第二N型注入部的深度均低于第二沟槽的深度。
天眼查资料显示，上海一本芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10.582万人民币。通过天眼查大数据分析，上海一本芯半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息2条。
来源：金融界
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