一本芯半导体取得碳化硅MOS器件专利，降低了器件的栅极电容
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2025-06-06 15:07:36
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，上海一本芯半导体科技有限公司取得一项名为“碳化硅MOS器件”的专利，授权公告号CN222954305U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种碳化硅MOS器件，包括：N型重掺杂碳化硅衬底和位于N型重掺杂碳化硅衬底上的N型外延层，N型外延层的上部具有一P型阱区，一位于P型阱区内的沟槽延伸至N型外延层内，P型阱区上部内且位于沟槽的周边具有N型重掺杂源极区，所述沟槽内具有一栅极柱，此栅极柱包括位于上部的宽子柱和位于宽子柱下方的窄子柱，所述栅极柱的宽子柱侧表面与沟槽上部内壁之间具有一二氧化硅层，所述栅极柱的窄子柱侧表面与沟槽下部内壁之间具有一P型重掺杂区，所述P型重掺杂区的上表面位于P型阱区的下表面的下方。
天眼查资料显示，上海一本芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10.582万人民币。通过天眼查大数据分析，上海一本芯半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息2条。
来源：金融界
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