旺宏电子申请存储器元件的制造方法专利，提高存储器元件性能
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2025-05-15 15:33:28
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金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件的制造方法”的专利，公开号CN 119677107 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本公开提供了一种存储器元件的制造方法，至少包括以下步骤：在基底上形成第一内连线与第一介电层。对所述第一介电层进行第一化学机械抛光工艺。在所述第一介电层上方形成堆叠结构，并在所述堆叠结构中形成阶梯结构。在所述基底上形成第二介电层，以覆盖所述堆叠结构与所述阶梯结构。对所述第二介电层进行第二化学机械抛光工艺。所述第二化学机械抛光工艺使用的第二抛光垫的第二沟槽的深度低于所述第一化学机械抛光工艺使用的第一抛光垫的第一沟槽的深度。所述的存储器元件可以是具有高容量与高性能3D NAND快闪存储器。
来源：金融界
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