长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，利于减少位线结构的寄生电容
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2025-06-07 09:34:00
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120111879A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供衬底，于阵列区形成第一介质层，于周边区形成第一导电层；于阵列区形成多个接触孔，接触孔贯穿第一介质层并暴露出对应的有源区；于接触孔内填充第二导电层；于第一介质层、第一导电层及第二导电层背离衬底的一侧层叠形成第三导电层及第二介质层；图案化第二介质层、第三导电层、第一介质层及第二导电层，形成多个位线结构，其中，第二介质层、第三导电层、第一介质层及第二导电层按照预设顺序分别图案化，且第一介质层和第二导电层分别采用不同的刻蚀气体进行图案化。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息379条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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