国星半导体申请一种LED芯片及其制备方法专利，有效简化LED芯片的制备工艺步骤
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2025-06-07 17:05:56
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“一种LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN120112013A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在第一图形化外延层上依次形成原初硬质膜层、具有切割走道图案的第一图形化光刻胶层；以第一图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀原初硬质膜层；以第一图形化硬质膜层为掩膜，刻蚀第一图形化外延层；以第二图形化硬质膜层为掩膜，粗化第二图形化外延层的切割走道图案；光刻图形化处理第二图形化硬质膜层；以第三图形化硬质膜层作为掩膜，在第二图形化外延层上依次沉积形成ITO膜层和银反射结构，并保留第三图形化硬质膜层作为扩散阻挡层。
天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目181次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息433条，此外企业还拥有行政许可22个。
来源：金融界
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