长江存储申请半导体结构及其制作方法等相关专利，增大半导体结构的内存窗口
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2025-06-07 18:34:26
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器、存储系统、电子设备”的专利，公开号CN120111889A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制作方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在增大半导体结构中电荷捕获层的陷阱密度，进而增大半导体结构的内存窗口，提升半导体结构的电荷储存特性。所述半导体结构包括堆叠结构和贯穿所述堆叠结构的沟道结构。所述沟道结构包括沿所述沟道结构的径向层叠设置的功能层和沟道层。其中，所述功能层包括电荷捕获层，所述电荷捕获层中包含碳元素。上述半导体结构可以应用于存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1386次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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