上海晟联科申请开关电容和电容阵列版图结构专利，减少上极板到地的寄生电容
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2025-06-07 23:04:42
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，上海晟联科半导体有限公司申请一项名为“一种开关电容和电容阵列版图结构”的专利，公开号CN120111897A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种开关电容和电容阵列版图结构，所述开关电容包括具有上极板金属线的上极板和具有两相对下极板金属线的下极板，上极板金属线位于两下极板金属线之间并形成插指结构，下极板还包括上金属盖板和下金属盖板；上金属盖板位于上极板金属线和下极板金属线的上层，下金属盖板位于上极板金属线和下极板金属线的下层，上金属盖板和下金属盖板均通过通孔与下极板金属线连接；上极板金属线被包围于两相对的下极板金属线、上金属盖板、下金属盖板之间，以减少上极板到地的寄生电容和信号衰减。本发明使得上极板到地的寄生电容大大减少，并降低信号衰减，且也解决了现有的插指电容上极板易受外部走线上的噪声影响的问题。
天眼查资料显示，上海晟联科半导体有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本40000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海晟联科半导体有限公司财产线索方面有商标信息4条，专利信息9条。
来源：金融界
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