长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统相关专利，提供一种含特定材质键合层的半导体结构
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2025-06-09 18:36:15
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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储系统”的专利，公开号CN120109114A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括：第一半导体结构，包括第一键合层；以及第二半导体结构，包括与所述第一键合层键合的第二键合层，其中所述第一键合层和所述第二键合层的材质包括碳氧化硅。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1386次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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