上海华虹宏力申请光电二极管及其制造方法专利，改善光电二极管的光响应性能
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2025-06-10 10:34:44
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“光电二极管及其制造方法”的专利，公开号CN120129313A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种光电二极管，包括第一半导体类型表面区域；在第一半导体类型表面区域的一部分中形成的第二半导体类型浅表面层，其中通过第一半导体类型表面区域和第二半导体类型浅表面层的PN结形成有源光电二极管区域，在浅表面层上形成有钝化涂层；覆盖第一半导体类型表面区域的层间介质层，打开层间介质层以形成第一开口图形，在开口图形形中形成有第一电极；覆盖层间介质层的金属间绝缘介质层，在金属间绝缘介质层上形成遮光层，在光电二极管非工作区域上方的金属间绝缘介质层上形成遮光层。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目883次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界
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