长鑫科技申请半导体结构制作方法及结构专利，制作特定半导体结构
创始人
2025-06-10 15:09:01
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法及半导体结构”的专利，公开号CN120129241A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括相互间隔排布的第一有源结构、第二有源结构以及位于相邻第一有源结构和第二有源结构之间的隔离结构；刻蚀衬底，以形成多个间隔的凹槽，凹槽暴露第二有源结构的顶面；形成第一隔离层，第一隔离层覆盖凹槽的表面；形成第一半导体层，第一半导体层覆盖第一隔离层的表面；刻蚀第一半导体层，以暴露覆盖在第二有源结构顶面的第一隔离层；刻蚀第一隔离层，以暴露第二有源结构的顶面；形成位线接触结构，位线接触结构至少与第二有源结构的顶面接触连接。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息379条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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