晶飞半导体取得高功率激光吸收体专利，更高效地吸收激光能量
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2025-06-10 15:09:13
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶飞半导体科技有限公司取得一项名为“一种高功率激光吸收体”的专利，授权公告号CN222965415U，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本申请涉及激光加工技术领域，具体涉及一种高功率激光吸收体，包括吸收本体、光吸收层、透光层、凸起，吸收本体的表面设有凹槽，凸起为多个，多个凸起置于凹槽的底部，光吸收层覆盖凸起，透光层覆盖光吸收层。本实用新型通过采用凹槽和多层光吸收结构，透光层允许激光光线通过并到达光吸收层，同时锥形凸起和颗粒结构使入射光线在凹槽内部被多次反射，逐渐衰减并被吸收。透光层限制激光在透光层和凸起之间，增强光吸收层对激光的吸收，使得高功率激光吸收体能够更高效地吸收激光能量，避免了光路干扰和不必要的反射，在激光加工技术领域具有良好的应用前景。
天眼查资料显示，北京晶飞半导体科技有限公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本141.1667万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晶飞半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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