杭州三花研究院申请压力传感器芯片及其制造方法专利，减少外界环境对温度敏感电阻阻值的影响
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2025-06-10 18:04:45
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，杭州三花研究院有限公司申请一项名为“压力传感器芯片及其制造方法”的专利，公开号CN120121204A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种压力传感器芯片，包括基底、温度敏感电阻和压力敏感电阻，压力传感器芯片具有空腔，基底至少部分位于空腔外围，温度敏感电阻和压力敏感电阻均与基底连接，温度敏感电阻至少部分位于空腔。本申请的压力传感器芯片，温度敏感电阻至少部分位于空腔，减少了外界环境对温度敏感电阻的阻值的影响，提高了温度敏感电阻的温度检测精度。本申请提供一种压力传感器芯片的制造方法，包括如下步骤：对硅层进行刻蚀和离子掺杂，形成温度敏感电阻；对第一绝缘层进行刻蚀形成凹槽；将温度敏感电阻至少部分置于凹槽，连接第一绝缘层与硅层，使得凹槽至少部分形成空腔。
天眼查资料显示，杭州三花研究院有限公司，成立于2006年，位于杭州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本23000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州三花研究院有限公司参与招投标项目73次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息866条，此外企业还拥有行政许可9个。
来源：金融界
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