长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，提高位线和位线接触块之间的对准精度
创始人
2025-06-10 23:03:03
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120129231A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供衬底和第一介质层，衬底包括第一部分、位于第一部分上且沿第一方向间隔排布的多个第二部分、以及位于第二部分远离第一部分的一侧且沿第二方向间隔排布的多个第三部分，第一介质层至少位于相邻的第二部分之间；去除至少部分第一部分和部分厚度的第二部分，以露出第二部分的剩余区域，并在相邻第一介质层之间形成凹槽；对凹槽露出的第二部分进行金属化处理，以形成沿第二方向延伸的位线；在至少部分凹槽中形成至少一个位线接触块，一条位线与至少一个位线接触块接触连接。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息387条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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