金融界2025年6月11日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN120129228A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构及其形成方法,其中,该半导体结构包括:多个有源柱,呈阵列排布;多条字线;字线沿第一方向延伸,且覆盖沿第一方向排布的同一行的有源柱的侧壁;第一方向与有源柱延伸的方向垂直;多个字线隔离结构;字线隔离结构沿第一方向延伸且位于相邻的字线之间,包括沿第一方向交替设置的第一隔离结构和第二隔离结构;其中,第一隔离结构沿第二方向的第一尺寸与第二隔离结构沿第二方向的第二尺寸不同;第二方向与有源柱延伸的方向平行。
天眼查资料显示,长鑫科技集团股份有限公司,成立于2016年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业,参与招投标项目1079次,财产线索方面有商标信息229条,专利信息387条,此外企业还拥有行政许可33个。
来源:金融界