金融界2025年5月15日消息，国家知识产权局信息显示，中芯京城集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号 CN119993828A，申请日期为 2023年11月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构；在栅极结构侧壁形成第一侧墙；采用第一低温离子注入工艺，在栅极结构两侧形成非晶区，第一低温离子注入工艺的机台温度设为‑30℃～‑80℃；在非晶区形成轻掺杂区；在第一侧墙的侧壁形成第二侧墙；采用第二低温离子注入工艺，在栅极结构两侧形成应力集中区，第二低温离子注入工艺的机台温度设为‑30℃～‑80℃；在应力集中区形成源漏掺杂区。通过将低温离子注入工艺的机台温度设定在‑30℃～‑80℃，有效降低了再次冷却硅片时的产能损失，而且能够有效减少冷却管路内部发生凝结问题，延长升至常温清除凝结的时间，进一步降低产能损失。另外将低温离子注入工艺的机台温度设在‑30℃～‑80℃，不会影响最终形成的半导体结构的性能。

天眼查资料显示，中芯京城集成电路制造（北京）有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯京城集成电路制造（北京）有限公司参与招投标项目34次，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可246个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。

来源：金融界