鸿扬半导体申请半导体元件及其制造方法专利，降低接触电阻
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2025-06-13 11:37:59
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN120152373A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本揭露的实施例提供一种半导体元件，且包括基板、两导电区、导电连接层、阱区及源极/漏极区。基板具有表面。两导电区设置于基板中。导电连接层设置于基板中且位于两导电区下方，且导电连接层与两导电区电性连接。阱区设置于基板中并位于两导电区之间，且阱区的底表面与导电连接层的顶表面接触。源极/漏极区设置于相邻两通道区之间的基板中并位于两导电区之间。此外，本揭露也提供一种半导体元件的制造方法。

来源：金融界

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