宁夏中欣晶圆申请降低重掺砷硅单晶头部电阻率的拉晶方法专利，能降低头部电阻率
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2025-06-13 16:08:29
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金融界 2025 年 6 月 13 日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“降低重掺砷硅单晶头部电阻率的拉晶方法”的专利，公开号 CN120138780A，申请日期为 2025 年 03 月。
专利摘要显示，本发明提供一种降低重掺砷硅单晶头部电阻率的拉晶方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。包括：S1、依次进行首次掺杂工序、一次试温工序、一次引晶工序、回融工序、补掺工序、二次试温工序、二次引晶工序、放肩工序、等径工序；S2、若引放过程或等径工序出现 NG，则将晶棒回融并进行补掺，然后依次进行试温工序、引晶工序、放肩工序、等径工序；S3、当首次掺杂倍数与补掺倍数之和达到总掺杂倍数时，停止补掺。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息285条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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