格科半导体申请提高图像传感器制造工艺中掩膜版利用率专利，有效提高掩膜版的利用率
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2025-06-13 19:37:29
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种提高图像传感器制造工艺中掩膜版利用率的方法”的专利，公开号CN120152408A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开一种提高图像传感器制造工艺中掩膜版利用率的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成具有高度差的介质层；在所述介质层上形成抗反射层和光阻层；通过曝光和显影，在所述衬底的多个区域形成对应的图形化的光阻层；通过刻蚀，形成所述衬底的多个区域对应的结构，从而提高掩膜版利用率。本发明基于具有高度差的介质层，仅通过一次光照掩膜便可以在衬底的多个区域形成所需的结构，从而有效提高掩膜版的利用率。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可86个。
来源：金融界
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