爱思开海力士申请半导体存储器装置的制造方法专利，公开一种半导体存储器装置的制造方法
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2025-06-14 17:10:21
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN120152286A，申请日期为2021年04月。
专利摘要显示，公开了一种半导体存储器装置的制造方法，该半导体存储器装置包括：位线，其与外围电路层交叠；层间绝缘层和导电图案，其在位线上沿第一方向交替地层叠；垂直沟道，其连接至位线，该垂直沟道贯穿层间绝缘层和导电图案，该垂直沟道在第一方向上比层叠的层间绝缘层和导电图案突出更远；连接图案，其与每个垂直沟道的在第一方向上比层叠的层间绝缘层和导电图案突出更远的部分接触，该连接图案连接垂直沟道；源极沟道，其与连接图案接触，该源极沟道在第一方向上延伸；以及源极选择线，其围绕源极沟道。
来源：金融界
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